Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w

Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w

Diodo d'emissione infrarosso di alto potere 

1. caratteristiche del :
   1. durata di funzionamento molto lunga (fino alle ore 100k).
   2. disponibile in bianco, verde, blu, rosso, giallo.
   3. Più di ottimo rendimento dell'alogeno maggior parte ed incandescenti delle della lampade.
   4. CC di bassa tensione azionata.
   5. fascio fresco, sicuro al tocco.
   6. istante leggero (meno di 100 NS).
   7. Il prodotto stesso rimarrà all'interno della versione compiacente di RoHS.

   applicazioni del :
   1. leggere le luci (automobile, bus, aerei).
   2. portatile (torcia elettrica, bicicletta).
   3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
   4. bitte/sicurezza/giardino.
   5. baia/Undershelf/compito.
   6. lampade di combinazione posteriori automobilistiche.
   7. segnalazione di traffico/incrocio e bordo ferrovia dei segnali.
   8. architettonico commerciale e residenziale dell'interno/all'aperto.
   9. segni di Edge_lit (uscita, punto di vendita).
   10. lampadine LCD/guide di luce.

1. Valutazioni massime assolute a Ta=25℃

2. Parametri	Simbolo	Valutazione	Unità
   Corrente di andata	SE	500	mA
   Corrente di picco (tp≤100μs, dovere cycle=0.25)	Pulso	700	mA
   Tensione inversa	VR	5	V
   Temperatura di giunzione del LED	Tj	125	℃
   Gamma di temperatura di funzionamento	Topr	-40 - +80	℃
   Gamma di temperature di stoccaggio	Tstg	-40 - +100	℃
   Tempo di saldatura a 260℃ (massimo)	Tsol	5	Secondi

    

   Note:

3. La corrente adeguata che riduce le imposte deve essere osservata per mantenere la temperatura di giunzione sotto il massimo.
4. I LED non sono destinati per essere guidati nella polarizzazione della riserva.

5.  

   Caratteristiche ottiche elettriche a Ta=25℃

   Parametri	Simbolo	Min.	Tipo.	Massimo.	Unità	Condizione di prova
   Angolo di visione [1]	2θ1/2	---	120	--	Gradi	IF=350mA
   Tensione di andata [2]	VF	1,6	---	2,2	V	IF=350mA
   Corrente inversa	IR	---	---	10	µA	VR=5V
   Lunghezza d'onda di punta dell'emissione	λp	---	730	---	nanometro	IF=350mA
   Lunghezza d'onda dominante	λd	----	730	----	nanometro	SE =350mA
   Larghezza di banda di radiazione di spettro	Δλ	---	10	---	nanometro	IF=350mA
   Intensità di potere	Pv	160	---	240	Mw	IF=350mA

    

   Note:

6. 2θ1/2 è fuori l'angolo di asse dalla linea centrale della lampada in cui l'intensità luminosa è 1/2 del valore di picco.
7. Tolleranza di misura di tensione di andata: ±0.1V

8.  

    

   Note:

   1. Il punto d'irradiazione luminoso è misurato con una combinazione leggera del filtro e del sensore che si approssima alla curva di occhio-risposta del CIE.

   2. il θ_1/2 è l'angolo di fuori asse a cui l'intensità luminosa è metà dell'intensità luminosa assiale.