Dettagli:
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Nome del prodotto: | ad alta potenza a infrarossi ha portato | Diametro: | Infrarosso del LED |
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Colore emesso: | led infrarossi | Lunghezza d'onda di punta dell'emissione: | 730nm |
Materiale del chip: | GaAlAs | Tipo della lente: | acqua chiara |
Tensione di andata @20ma: | 1.4-1.8V | Angolo di visione: | 120 gradi |
Evidenziare: | light emitting diode led,ir emitting diode |
Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w
Diodo d'emissione infrarosso di alto potere
caratteristiche del :
1. durata di funzionamento molto lunga (fino alle ore 100k).
2. disponibile in bianco, verde, blu, rosso, giallo.
3. Più di ottimo rendimento dell'alogeno maggior parte ed incandescenti delle della lampade.
4. CC di bassa tensione azionata.
5. fascio fresco, sicuro al tocco.
6. istante leggero (meno di 100 NS).
7. Il prodotto stesso rimarrà all'interno della versione compiacente di RoHS.
applicazioni del :
1. leggere le luci (automobile, bus, aerei).
2. portatile (torcia elettrica, bicicletta).
3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
4. bitte/sicurezza/giardino.
5. baia/Undershelf/compito.
6. lampade di combinazione posteriori automobilistiche.
7. segnalazione di traffico/incrocio e bordo ferrovia dei segnali.
8. architettonico commerciale e residenziale dell'interno/all'aperto.
9. segni di Edge_lit (uscita, punto di vendita).
10. lampadine LCD/guide di luce.
Parametri | Simbolo | Valutazione | Unità |
Corrente di andata | SE | 500 | mA |
Corrente di picco (tp≤100μs, dovere cycle=0.25) | Pulso | 700 | mA |
Tensione inversa | VR | 5 | V |
Temperatura di giunzione del LED | Tj | 125 | ℃ |
Gamma di temperatura di funzionamento | Topr | -40 - +80 | ℃ |
Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | -40 - +100 | ℃ |
Tempo di saldatura a 260℃ (massimo) | Tsol | 5 | Secondi |
Note:
Caratteristiche ottiche elettriche a Ta=25℃
Parametri | Simbolo | Min. | Tipo. | Massimo. | Unità | Condizione di prova |
Angolo di visione [1] | 2θ1/2 | --- | 120 | -- | Gradi | IF=350mA |
Tensione di andata [2] | VF | 1,6 | --- | 2,2 | V | IF=350mA |
Corrente inversa | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |
Lunghezza d'onda di punta dell'emissione | λp | --- | 730 | --- | nanometro | IF=350mA |
Lunghezza d'onda dominante | λd | ---- | 730 | ---- | nanometro | SE =350mA |
Larghezza di banda di radiazione di spettro | Δλ | --- | 10 | --- | nanometro | IF=350mA |
Intensità di potere | Pv | 160 | --- | 240 | Mw | IF=350mA |
Note:
Note:
1. Il punto d'irradiazione luminoso è misurato con una combinazione leggera del filtro e del sensore che si approssima alla curva di occhio-risposta del CIE.
2. il θ1/2 è l'angolo di fuori asse a cui l'intensità luminosa è metà dell'intensità luminosa assiale.
Persona di contatto: Roundy
Telefono: +8615216951191