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Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w

Certificazione
Porcellana HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd Certificazioni
Porcellana HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd Certificazioni
Rassegne del cliente
La vigilia del settantesimo anniversario del fondare della Repubblica popolare cinese, vogliate gradire le nostre congratulazioni più sincere e più calde su questa grande festa. Notevolmente apprezziamo l'esperienza positiva nella cooperazione fra le nostre società e guardiamo in avanti ad ulteriore sviluppo reciprocamente utile della nostra associazione.

—— V.P. Vasilyev

cooperiamo con doppia luce per tante volte, ogni volta ci sostengono dai buoni prodotti e dal prezzo piacevole.

—— Berk dagli Stati Uniti

Coopero con Rony, non devo preoccuparmi troppo, lui posso sistemare bene tutto.

—— Harper Steve dalla Turchia

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Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm
Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

Grande immagine :  Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w

Dettagli:

Luogo di origine: Cina (continente)
Marca: Double Light
Certificazione: ISO9001:2008,ROHS
Numero di modello: DL-HP20SIRA-1SIR120

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 10.000 pezzi
Imballaggi particolari: Dimensioni per unità: 0,28 × del × 0,2 0,13 metri • Peso per unità: 3,5 chilogrammi • Unità per ca
Tempi di consegna: 5-7 giorni lavorativi dopo hanno ricevuto il vostro pagamento
Termini di pagamento: Trasferimento telegrafico in anticipo (TT di avanzamento, T/T)
Capacità di alimentazione: 15,000,000pcs al giorno
Descrizione di prodotto dettagliata
Nome del prodotto: ad alta potenza a infrarossi ha portato Diametro: Infrarosso del LED
Colore emesso: led infrarossi Lunghezza d'onda di punta dell'emissione: 730nm
Materiale del chip: GaAlAs Tipo della lente: acqua chiara
Tensione di andata @20ma: 1.4-1.8V Angolo di visione: 120 gradi
Evidenziare:

light emitting diode led

,

ir emitting diode

Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w

 

Diodo d'emissione infrarosso di alto potere 

  1. caratteristiche del :
    1. durata di funzionamento molto lunga (fino alle ore 100k).
    2. disponibile in bianco, verde, blu, rosso, giallo.
    3. Più di ottimo rendimento dell'alogeno maggior parte ed incandescenti delle della lampade.
    4. CC di bassa tensione azionata.
    5. fascio fresco, sicuro al tocco.
    6. istante leggero (meno di 100 NS).
    7. Il prodotto stesso rimarrà all'interno della versione compiacente di RoHS.

    applicazioni del :
    1. leggere le luci (automobile, bus, aerei).
    2. portatile (torcia elettrica, bicicletta).
    3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
    4. bitte/sicurezza/giardino.
    5. baia/Undershelf/compito.
    6. lampade di combinazione posteriori automobilistiche.
    7. segnalazione di traffico/incrocio e bordo ferrovia dei segnali.
    8. architettonico commerciale e residenziale dell'interno/all'aperto.
    9. segni di Edge_lit (uscita, punto di vendita).
    10. lampadine LCD/guide di luce.

 

 

  1. Valutazioni massime assolute a Ta=25℃
  2. Parametri Simbolo Valutazione Unità
    Corrente di andata SE 500 mA
    Corrente di picco (tp≤100μs, dovere cycle=0.25) Pulso 700 mA
    Tensione inversa VR 5 V
    Temperatura di giunzione del LED Tj 125
    Gamma di temperatura di funzionamento Topr -40 - +80
    Gamma di temperature di stoccaggio Tstg -40 - +100
    Tempo di saldatura a 260℃ (massimo) Tsol 5 Secondi
     

    Note:

  3. La corrente adeguata che riduce le imposte deve essere osservata per mantenere la temperatura di giunzione sotto il massimo.
  4. I LED non sono destinati per essere guidati nella polarizzazione della riserva.
  5.  

    Caratteristiche ottiche elettriche a Ta=25℃

    Parametri Simbolo Min. Tipo. Massimo. Unità Condizione di prova
    Angolo di visione [1] 2θ1/2 --- 120 -- Gradi IF=350mA
    Tensione di andata [2] VF 1,6 --- 2,2 V IF=350mA
    Corrente inversa IR --- --- 10 µA VR=5V
    Lunghezza d'onda di punta dell'emissione λp --- 730 --- nanometro IF=350mA
    Lunghezza d'onda dominante λd ---- 730 ---- nanometro SE =350mA
    Larghezza di banda di radiazione di spettro Δλ --- 10 --- nanometro IF=350mA
    Intensità di potere Pv 160 --- 240 Mw IF=350mA
     

    Note:

  6. 2θ1/2 è fuori l'angolo di asse dalla linea centrale della lampada in cui l'intensità luminosa è 1/2 del valore di picco.
  7. Tolleranza di misura di tensione di andata: ±0.1V
  8.  

     

    Note:

    1. Il punto d'irradiazione luminoso è misurato con una combinazione leggera del filtro e del sensore che si approssima alla curva di occhio-risposta del CIE.

    2. il θ1/2 è l'angolo di fuori asse a cui l'intensità luminosa è metà dell'intensità luminosa assiale.

 

Dimensione d'emissione infrarossa del pacchetto del diodo:

Infrarosso del chip di Epileds che emette il diodo luminescente 730nm 850nm 940nm di alto potere del diodo 1w 3w 0 

 
 

Dettagli di contatto
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Persona di contatto: Roundy

Telefono: +8615216951191

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