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Diodo d'emissione infrarosso di GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

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Certificazione
Porcellana HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd Certificazioni
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Rassegne del cliente
La vigilia del settantesimo anniversario del fondare della Repubblica popolare cinese, vogliate gradire le nostre congratulazioni più sincere e più calde su questa grande festa. Notevolmente apprezziamo l'esperienza positiva nella cooperazione fra le nostre società e guardiamo in avanti ad ulteriore sviluppo reciprocamente utile della nostra associazione.

—— V.P. Vasilyev

cooperiamo con doppia luce per tante volte, ogni volta ci sostengono dai buoni prodotti e dal prezzo piacevole.

—— Berk dagli Stati Uniti

Coopero con Rony, non devo preoccuparmi troppo, lui posso sistemare bene tutto.

—— Harper Steve dalla Turchia

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Diodo d'emissione infrarosso di GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode
GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode

Grande immagine :  Diodo d'emissione infrarosso di GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

Dettagli:

Luogo di origine: Cina (continente)
Marca: Double Light
Certificazione: ISO9001:2008,ROHS
Numero di modello: DL-HP10SIRA-1SIR120

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 10.000 pezzi
Prezzo: Negotiated
Imballaggi particolari: Dimensioni per unità: 0,28 × del × 0,2 0,13 metri • Peso per unità: 3,5 chilogrammi • Unità per ca
Tempi di consegna: 5-7 giorni lavorativi dopo hanno ricevuto il vostro pagamento
Termini di pagamento: Trasferimento telegrafico in anticipo (TT di avanzamento, T/T)
Capacità di alimentazione: 15,000,000pcs al giorno
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale del chip: GaAlAs Dissipazione di potere: 1000mW
tensione inversa: 5v Lunghezza d'onda di punta dell'emissione: 850nm
Corrente di andata: 350mA Angolo di visione: 120 gradi
Evidenziare:

1W Infrared Emitting Diode

,

1000mW Infrared Emitting Diode

,

850nm High Power Emitting Diode

l'infrarosso 850nm ha condotto 1W il diodo luminescente rosso infrarosso di alto potere LED

 

                                                                   DL-HP10SIRA-1SIR120.pdf

Caratteristiche:

  • Alta affidabilità.
  • Alta intensità radiante.
  • Tensione di andata bassa.
  • Lunghezza d'onda di picco λp=850nm.
  • Il prodotto stesso rimarrà all'interno della versione compiacente di RoHS.

Descrizioni:

  • Il DL-HP10 SIR Infrared Emitting Diode è un diodo ad alta intensità.
  • Il dispositivo è abbinato spettrale con il fototransistor, il fotodiodo ed il modulo di ricevitore infrarosso.

Applicazioni:

  • Sistema di trasmissione dell'aria libera.
  • Commutatore optoelettronico.
  • Unità floppy.
  • Sistema applicato infrarosso.
  • Rilevatore di fumo.

Diodo d'emissione infrarosso di GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 0

Numero del pezzo. Chip Material Colore della lente Colore di fonte
DL-HP10SIRA-1SIR120 GaAlAs Radura dell'acqua Infrarosso

 

Note:

  • Tutte le dimensioni sono nei millimetri.
  • La tolleranza è ± 0,25 millimetri (.010 ″) salvo specificazione contraria.
  • Le specifiche sono conforme a cambiamento senza preavviso.

 

Valutazioni massime assolute a Ta=25℃

Parametri Simbolo Massimo. Unità
Dissipazione di potere Palladio 1000 Mw
Corrente di andata di punta
(1/10 duty cycle, di larghezza di impulso 0.1ms)		 IFP 1,00
Corrente di andata SE 350 mA
Tensione inversa VR 5 V
Gamma di temperatura di funzionamento Topr -10℃ a +70℃
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg -20℃ a +80℃
Temperatura di saldatura Tsol 260℃ per 5 secondi
 

 

Caratteristiche ottiche elettriche a Ta=25℃

Parametri Simbolo Minuto. Tipo. Massimo. Unità Condizione di prova
Intensità radiante IE 110 180 ---- mW/Sr IF=350mA
Angolo di visione * 2θ1/2 ---- 120 ---- Grado (Nota 1)
Lunghezza d'onda di punta dell'emissione λp ---- 850 ---- nanometro IF=350mA
Larghezza di banda spettrale △λ ---- 45 ---- nanometro IF=350mA
Tensione di andata VF 1,30 1,50 1,80 V SE =350mA
Corrente inversa IR ---- ---- 50 µA V R =5V
 

Note:

  • il θ 1/2 è l'angolo di fuori asse a cui l'intensità luminosa è metà dell'intensità luminosa assiale.

 

Diodo d'emissione infrarosso di GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 1
 
 
Diodo d'emissione infrarosso di GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 2 
 
Roundy
Telefono: 86-755-82853859
Fax: 86-755-83229774
Email: Roundy@doublelight.com.cn
Wechat: 15216951191
Skype: Roundy@doublelight.com.cn
Whatsapp: +86 15216951191
 
 

Prodotto Tag:

diodo ad emissione luminosa del LED,

940nm a infrarossi ha portato,

IR CHE EMETTE DIODO

Dettagli di contatto
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Persona di contatto: Roundy

Telefono: +8615216951191

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Factory Indirizzo:6° piano, costruzione di D, complesso industriale di Weihuada, strada di Huaning, Dalang, distretto di Longhua, città Cina di Shenzhen
Ufficio vendite:Stanza 4005, pavimento quarantesimo, quadrato di Saige, strada del nord NO.1002, distretto di Futian, città di Shenzhen, provincia del Guangdong Cina, zip di Huaqiang: 518031
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