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Casa ProdottiDiodo d'emissione infrarosso

diodo d'emissione infrarosso cilindrico di 5mm con il ricetrasmettitore di infrarosso del fototransistor del silicio NPN della flangia

diodo d'emissione infrarosso cilindrico di 5mm con il ricetrasmettitore di infrarosso del fototransistor del silicio NPN della flangia

    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
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    • 5mm Cylindrical Infrared Emitting Diode With Flange Silicon NPN Phototransistor Infrared Transceiver
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    Dettagli:

    Luogo di origine: La Cina
    Marca: Double Light
    Certificazione: ROHS/ REACH
    Numero di modello: DL-503PTE-1PT

    Termini di pagamento e spedizione:

    Quantità di ordine minimo: 5,000pcs/Real
    Imballaggi particolari: Dimensioni per unità: 0,28 × del × 0,2 0,13 metri • Peso per unità: 3,5 chilogrammi • Unità per ca
    Tempi di consegna: 10-15working i giorni dopo ha ricevuto il vostro pagamento
    Termini di pagamento: Trasferimento telegrafico in anticipo (TT di avanzamento, T/T)
    Capacità di alimentazione: 2,000,000pcs al giorno
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    Descrizione di prodotto dettagliata
    Nome del prodotto: 5mm cilindrici con il fototransistor della flangia Pacchetto: Diametro rotondo del T-1 3/4 di norma della IMMERSIONE 5mm
    Materiale del chip: silicio Tipo della lente: acqua chiara
    Colore di fonte: fototransistor Lunghezza d'onda della sensibilità di punta: 940NM
    Forma: Cilindrico con la flangia Angolo di ricezione: 100 gradi
    energia: 75mA Tensione dell'Collettore-Emettitore: 30V
    Corrente di collettore: 20mA Ha suonato della larghezza di banda spettrale: 700-1200nm

    5mm cilindrici con infrarosso infrarosso del ricetrasmettitore 940nm del fototransistor del silicio NPN della flangia hanno condotto in commutatore optoelettronico

    DL-503PTE-1PT.pdf
     

     

     

    Caratteristiche:

    1. Tempo di reazione veloce.
    2. Alta sensibilità della foto.
    3. Piccola capacità di giunzione.
    4. Il prodotto stesso rimarrà all'interno della versione compiacente di RoHS.

     
    Descrizioni:

    1. Il 503PT è un fototransistor sensibile ad alta velocità ed alto del silicio NPN in un pacchetto standard Φ5.
    2. dovuto il suo epossidico nero, il dispositivo è abbinato a luce visibile ed a radiazione infrarossa.

     
    Applicazioni:

    1. Sistema applicato infrarosso.
    2. Sistema di controllo automatico optoelettronico.
    3. Commutatore optoelettronico.
    4. Macchina fotografica.
    5. Stampante.
    6. Contatori e selezionatori.
    7. Codificatori.
    8. Unità floppy.
    9. Videocamera, nastro e lettori di schede.
    10. Sensori di posizione.

     
    Dimensione del pacchetto:
    diodo d'emissione infrarosso cilindrico di 5mm con il ricetrasmettitore di infrarosso del fototransistor del silicio NPN della flangia

     

    Numero del pezzo. Materiale del chip Colore della lente Colore di fonte
    DL-503PTE-1PT Silicio Acqua chiara Fototransistor

     

    Note:

    1. Tutte le dimensioni sono nei millimetri (pollici).
    2. La tolleranza è ± 0,25 millimetri (.010 ″) salvo specificazione contraria
    3. La resina sporta sotto la flangia è un massimo di 1,00 millimetri (.039 ″).
    4. Le specifiche sono conforme a cambiamento senza preavviso.

     
    Valutazioni massime assolute a Ta=25℃

    Parametri Simbolo Valutazione Unità
    Dissipazione di potere PD 75 Mw
    Tensione dell'Collettore-emettitore VCEO 30 V
    Emettitore-Collettore-tensione VECO 5 V
    Corrente di collettore IC 20 mA
    Temperatura di funzionamento TOPR -40 - +85
    Temperatura di stoccaggio TSTG -40 - +100
    Temperatura di saldatura del cavo SOLENOIDEDI T 260℃
     

     
     
    Caratteristiche ottiche elettriche a Ta=25℃

     

    Parametri Simbolo Min. Tipo. Massimo. Unità Circostanza
    Tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore CEODELLA BV 30 --- --- V

    IC=100μA,

    ² di Ee=0mW/cm

    Tensione di ripartizione del Emettitore-collettore LA BVECO 5 --- --- V

    CIOÈ =100μA,

    ² di Ee=0mW/cm

    Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore VCE(SAT) --- --- 0,40 V

    IC=0.70mA,

    Ee=1mW/cm2

    Corrente al buio del collettore ICEO --- --- 100 Na

    ² di Ee=0mW/cm,

    VCE=20V

    Corrente di collettore dello Su stato IC(SOPRA) 0,70 2,00 --- mA

    ² di Ee=1mW/cm,

    VCE=5V

    Tempo di aumento ottico (10% - 90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V,

    IC=1mA,

    RL=1000Ω

    Tempo di caduta ottico (90% - 10%) TF --- 15 ---
    Angolo di ricezione 2θ1/2 --- 100 --- Grado  
    Lunghezza d'onda della sensibilità di punta λP --- 940 --- nanometro  
    Ha suonato della larghezza di banda spettrale λ0.5 700 --- 1200 nanometro  
     

     

     
    Curve di caratteristiche elettriche/ottiche tipiche
    (Temperatura ambiente 25℃ salvo indicazione contraria)

     diodo d'emissione infrarosso cilindrico di 5mm con il ricetrasmettitore di infrarosso del fototransistor del silicio NPN della flangia
     
     

     

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